|
摘要：
2024深圳國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體展覽會(huì)
ShenzhenNewEnergyVehiclePowerSemiconductorTechnologyExhibition
基本信息
時(shí)間：2024年12月4-6日
地點(diǎn)：深圳國(guó)際會(huì)展中心
展會(huì)簡(jiǎn)介
“2024深圳國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)…
|
2024深圳國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體展覽會(huì)
Shenzhen New Energy Vehicle Power Semiconductor Technology Exhibition
基本信息
時(shí)間：2024年12月4-6日
地點(diǎn)：深圳國(guó)際會(huì)展中心
展會(huì)簡(jiǎn)介
“2024深圳國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)”將于2024年12月4-6日在深圳國(guó)際會(huì)展中心隆重舉辦，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，已成為國(guó)內(nèi)外具有一定影響力的汽車功率半導(dǎo)體業(yè)界盛會(huì)。涵蓋了半導(dǎo)體技術(shù)制造的各個(gè)方面，包括設(shè)備、設(shè)計(jì)、光刻、集成、材料、流程、制造以及新興半導(dǎo)體科技和硅材料應(yīng)用等。除此之外，諾貝爾獎(jiǎng)獲得者、各大公司高層代表以及業(yè)內(nèi)專家們齊聚一堂，聚焦行業(yè)熱點(diǎn)話題，就LED、半導(dǎo)體材料以及微電子機(jī)械系統(tǒng)等進(jìn)行探討和交流。為從事集成電路設(shè)計(jì)、芯片加工、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體專用設(shè)備、半導(dǎo)體專用材料、半導(dǎo)體分立器件的海內(nèi)外廠商，企事業(yè)單位搭建了一個(gè)展示新成果，打造產(chǎn)品品牌的平臺(tái)。而且聚焦產(chǎn)業(yè)政策解讀，涵蓋“體制創(chuàng)新、模式創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新”等內(nèi)容的高峰論壇和專題研討會(huì)，在業(yè)界有著極佳的口碑和知名度。
展商受益
1. 與作為全球半導(dǎo)體、配套中心的長(zhǎng)三角地區(qū)的電路板企業(yè)共同成長(zhǎng)；
2. 接觸到珠三角地區(qū)最具影響力的業(yè)界人士及用戶企業(yè)最終決策者、實(shí)力買家和研發(fā)工程師；
3. 獲得大范圍、高密度的強(qiáng)勢(shì)宣傳，拓展更多的商業(yè)機(jī)會(huì)；
4. 與國(guó)內(nèi)外同行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商同臺(tái)展示，切磋技術(shù)；
5. 通過(guò)權(quán)威論壇發(fā)布或聆聽(tīng)行業(yè)導(dǎo)向、市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)前沿等熱點(diǎn)話題，分享經(jīng)驗(yàn)。
展會(huì)亮點(diǎn)
平臺(tái)：締造行業(yè)采購(gòu)交流平臺(tái)；
了解：規(guī)劃、設(shè)計(jì)與施工國(guó)內(nèi)外產(chǎn)品新技術(shù)及服務(wù)；
建立：用戶直達(dá)現(xiàn)場(chǎng)，構(gòu)建新的客戶關(guān)系；
結(jié)識(shí)：上下游產(chǎn)業(yè)聯(lián)動(dòng)，精彩論壇、沙龍助推業(yè)界專家、同仁及用戶零距離接觸；
推廣：通過(guò)主承辦單位強(qiáng)大的行業(yè)沉淀，為您提供廣闊的市場(chǎng)推廣；
觀眾邀請(qǐng)
集成電路與第三代半導(dǎo)體材料、器件、封測(cè)、裝備、應(yīng)用、投資機(jī)構(gòu)、消費(fèi)電子、工控電子、通信電子、半導(dǎo)體照明、封裝、檢測(cè)、自動(dòng)化設(shè)備、汽車電子、EMS代工廠/OEM的生產(chǎn)制造、采購(gòu)、技術(shù)、研發(fā)、媒體等等。
日程安排
報(bào)到布展：
2024年12月2-3日 AM8:30-PM19:30
展出時(shí)間：
2024年12月04日 AM9:30-PM16:45
2024年12月05日 AM9:30-PM16:45
2024年12月06日 AM9:30-PM16:45
參展范圍
車用基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件：雙極晶體管、二極管、晶閘管、整流管、TVS、ESD保護(hù)器等；
車用硅基功率器件（MOSFET/IGBT）等；
車用第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）器件；
外延片、襯底材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等
設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)
生產(chǎn)設(shè)備
封裝測(cè)試
聯(lián)系我們
聯(lián)系人：李先生13636604883（同微信）
郵 箱：169626339@qq.com
|
